Review Komponen Elektronik Bipolar Transistor Isolated Gate

Kebutuhan akan komponen elektronik cukup meningkat dengan pengembangan energi dan lingkungan yang berkelanjutan, fasilitas elektronik (PES) semakin menarik dalam berbagai sistem energi. Bipolar Transistor Isolated Gate (IGBT), bersama-sama dari PE dengan banyak keunggulan dan potensi untuk pengembangan peringkat tegangan dan arus atas, telah digunakan dalam berbagai aplikasi dewan. Namun, miniaturisasi berkelanjutan dan peningkatan cepat dalam peringkat daya IGBT memiliki fluks panas tinggi yang luar biasa, yang membutuhkan manajemen termal yang kompleks. Selama makalah ini, studi manajemen termal pada IGBT umumnya ditinjau termasuk menganalisis, membandingkan, dan mengklasifikasikan hasil yang berasal dari penelitian. Model termal untuk menghitung pendinginan dinamis secara akurat dibagi menjadi model analitik, model numerik, dan model jaringan termal. Resistansi termal modul modul IGBT modul dioda semikron igbt SKKT 72 / 16E

Konsisten dengan produk saat ini dalam berbagai IGBT, kami mengamati bahwa resistansi termal dari persimpangan-ke-kasus umumnya berkurang secara terbalik dalam hal semua daya termal. Selain itu, larutan pendingin IGBT ditinjau dan oleh karena itu kinerja berbagai solusi dipelajari dan dibandingkan. Akhirnya, kami telah mengusulkan penilaian evaluasi yang cepat dan efisien untuk manajemen termal IGBT yang percaya keinginan atas resistensi termal dari persimpangan-ke-kasus dan koefisien perpindahan panas yang setara dengan sampel uji.

sumber :https://alfa.elektrindo.co.id/part/semikron-diode-modules-skkt-72-16e/